一、底层材料：全球首次攻克二维半导体 P 型材料（4 月 9 日）

• 突破单位：国防科技大学联合中科院金属研究所
• 核心成果：全球首次攻克二维半导体 P 型材料量产难题，独创液态金 / 钨双金属 CVD 方法，实现晶圆级单层WSi₂N₄薄膜可控生长
• 关键指标：单晶尺寸达亚毫米级，生长速率提升1000 倍，空穴迁移率、电流密度全球领先
• 战略意义：打破西方对高端芯片材料封锁，为2nm 以下先进芯片、柔性电子提供国产底层材料支撑

二、制造设备：国产 28nm 光刻机量产，7nm 工艺良率突破 80%（3 月）

• 设备突破：国产28nm 沉浸式光刻机通过全流程验证，进入量产，核心部件国产化率 **>90%**
• 工艺突破：中芯国际用国产设备 + 多重曝光，实现7nm 芯片稳定量产，良率 **>80%**，月产能目标 7 万片
• 成熟制程扩产：晶合集成 28nm 逻辑工艺开发完成，四期投资355 亿元建 12 英寸产线，2026 年底投产

三、高端芯片：全球最高速 ADC、1nm 晶体管、AI/RISC-V 爆发

1. 超高速 ADC（4 月 10 日）
   成都华微发布CSD10B128GA1，采样率1280 亿次 / 秒、带宽37GHz，全球最高速量产 ADC，打破美国垄断
2. 1nm 极限晶体管（3 月）
   北大团队研制物理栅长 1nm铁电晶体管，电压 0.6V，能耗降10 倍，绕开 EUV 光刻机依赖
3. AI 与 RISC-V（3 月）

• 阿里玄铁 C950 首次原生支持千问 30B大模型
• 中科院发布香山开源 RISC-V 处理器，启动 "昆明湖" 架构研发
• 国产 EDA 支持3nm设计，效率提升30%

四、政策与产业：国家战略定调，全链条协同攻关

• 两会定调（3 月）：政府工作报告将集成电路列为六大新兴支柱首位，提出 "全链条技术攻关 + 新型举国体制"
• "十五五" 规划：明确 "超常规措施" 在芯片领域取得决定性突破
• 资金支持：科技再贷款扩至8000 亿元，国家创投引导基金启动中国政府网
• 场景开放：央企带头在电网、5G 基站用国产芯片，加速迭代

五、市场出口：2026 开年出口暴增 73%，均价涨 52%

• 海关数据（1-2 月）：芯片出口433 亿美元（+72.6%），数量524.6 亿片（+13.7%），均价 0.85 美元（+52%）
• 增长逻辑：从 "低价走量" 转向高附加值，存储、车规、AI 芯片成主力
• 全球份额：长江存储 / 长鑫存储良率提升，成熟制程国产化率50%（2025 年）

六、第三代半导体：SiC/GaN 快速渗透